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TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是我公司吸收國內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn)初步建立,精心設(shè)計研制而成的一款能全自動測試介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器堅實基礎。TE8000*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動反干擾源法質生產力,能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場合準(zhǔn)確測量機構,*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。

  • 更新時間:2023-10-26
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 產(chǎn)品廠地:上海市
  • 訪問次數(shù):2110
  • 產(chǎn)品價格:9879
  • 產(chǎn)品型號:TE8000
TE8000TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的詳細(xì)資料:
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域化工,石油,地礦,電子/電池,道路/軌道/船舶

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

 

產(chǎn)品特性

 

(1) 反干擾源:儀器先測量干擾電流的幅值和相位引人註目,然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個幅值相等、相位相反的反干擾信號來抵消干擾電流溝通協調,從而有效消除現(xiàn)場干擾對測試數(shù)據(jù)的影響拓展。實(shí)踐使用證明,該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”活動、“移相法”和“變頻法”。
(2) 整體屏蔽:采用雙層整體屏蔽機(jī)箱,能有效阻擋外界電磁干擾還不大。采用高壓屏蔽軟電纜好宣講,可直接引至試品,測試安全方便保障性,并有效消除了對地雜散電容的影響不斷進步。
(3) 使用方便:可自由選擇輸出高壓,啟動后全自動升壓測試。采用中文菜單操作認為,測量電容值交流研討、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù),換紙更加方便順滑地配合。
(4) 技術(shù)精良:全數(shù)字化,內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型薄弱點。
(5) 精度高:具有較高的分辨率和精度上高質量,測試結(jié)果重復(fù)性好,配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后效高,可測量絕緣油的介質(zhì)損耗因素建設應用。
(6) 通訊接口:留有“通訊接口”,其中包括RS232計算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接廣度和深度,進(jìn)行數(shù)據(jù)處理應用的因素之一;和“JTAG在線編程接口”,可由筆記本電腦對儀器進(jìn)行現(xiàn)場在線編程日漸深入,可對儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級處理奮勇向前;使用時,必須配用接線座和軟件預期,本儀器不提供此配件經驗。
(7) 數(shù)據(jù)記錄:儀器能記錄100組測試數(shù)據(jù),以測試日期加強宣傳、時間的形式存儲敢於監督,日后可調(diào)用查看或打印,有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺帳的建立互動式宣講。
(8) 攜帶方便:采用一體化結(jié)構(gòu)組建,設(shè)計合理,體積只有同類產(chǎn)品的1/2~2/3結構,攜帶十分方便深入交流研討。

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

技術(shù)參數(shù)

 使用電源  本儀器使用220(1±10%)V,50(1±2%)Hz電源
 使用環(huán)境  環(huán)境溫度:-10℃~40℃   相對濕度:≤80%
 外形尺寸  長400mm*寬330mm*高395mm
 質(zhì)量  20Kg
 測試工作方式  正接法  反接法  抗干擾正接法  抗干擾反接法
 輸出功率  內(nèi)部高壓zui大容量:1.5KVA
  輸出zui大電流:150mA
 安全性能  絕緣電阻:電源對地≥2MΩ發揮,高壓輸出對地≥50MΩ
  交流耐壓:電源對地1500v耐壓1min品牌,高壓輸出對地15KV耐壓1min適應能力,無飛弧和擊穿
 抗干擾性能  | 干擾 /  | 試品 <2設施,磁場干擾<5高斯下滿足測試精度要求。
 電容測量范圍  10KV: 0~40000pF  
  <5KV: 0~0.1μF
 電容zui小分辨率  0.001pF
 電容精度  正接 ±(2%讀數(shù)+2pF)
  反接 ±(2%讀數(shù)+10pF)
 電壓輸出  范圍:1KV快速增長、1.5KV要求、2KV、2.5KV、3KV適應性強、5KV的特性、7.5KV、10KV
  失真度:<2%THD(10KV下線性負(fù)載)
  精度:±(1%讀數(shù)+10V)
 介損測量范圍  0~50%
 介損測量精度
測試內(nèi)容電容量范圍(Cx)試品類型基本誤差
介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ200pF~40000pF非接地±(2%讀數(shù)+0.0005)
接地±(2%讀數(shù)+0.0010)
10pF~200pF或40000pF以上非接地±(2%讀數(shù)+0.0010)
接地±(2%讀數(shù)+0.0020)
3pF~10pF非接地與接地

 

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